Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXDH35N60BD1

IXDH35N60BD1

IXDH35N60BD1
IXDH35N60BD1
Артикул: IXDH35N60BD1
Описание: IXDH35N60BD1
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXDH35N60BD1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXDH35N60BD1: Биполярный транзистор с изолированным затвором