Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXDN55N120D1

IXDN55N120D1

IXDN55N120D1
IXDN55N120D1
Артикул: IXDN55N120D1
Описание: IXDN55N120D1
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXDN55N120D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXDN55N120D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором