История:
FS200R12PT4PBOSA1
IXDN75N120
IXDN75N120
Артикул:
IXDN75N120
Описание:
IXDN75N120
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXDN75N120: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXDN75N120: Биполярный транзистор с изолированным затвором

