Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXDP20N60BD1

IXDP20N60BD1

IXDP20N60BD1
IXDP20N60BD1
Артикул:
Описание: IXDP20N60BD1
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 32 A
Power Dispation 140 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXDP20N60BD1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 32 A
Power Dispation 140 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXDP20N60BD1: Биполярный транзистор с изолированным затвором