История:
IXGH30N60C3D1
IXGH10N170
IXGH10N170
Артикул:
Описание:
IXGH10N170
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1700 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH10N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1700 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH10N170: Биполярный транзистор с изолированным затвором

