IXGH10N170A
IXGH10N170A
Артикул:
IXGH10N170A
Описание:
IXGH10N170A
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1700 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH10N170A: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1700 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH10N170A: Биполярный транзистор с изолированным затвором

