Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXGH30N120B3D1

IXGH30N120B3D1

IXGH30N120B3D1
IXGH30N120B3D1
Артикул:
Описание: IXGH30N120B3D1
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.96 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 50 A
Power Dispation 300 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH30N120B3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.96 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 50 A
Power Dispation 300 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH30N120B3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором