IXGH32N120A3
IXGH32N120A3
Артикул:
IXGH32N120A3
Описание:
IXGH32N120A3
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH32N120A3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH32N120A3: Биполярный транзистор с изолированным затвором