История:
PIC18F43K22-E/MV
IXGH72N60B3
IXGH72N60B3
Артикул:
IXGH72N60B3
Описание:
IXGH72N60B3
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH72N60B3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXGH72N60B3: Биполярный транзистор с изолированным затвором

