IXGN320N60A3
IXGN320N60A3
Артикул:
IXGN320N60A3
Описание:
IXGN320N60A3
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXGN320N60A3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXGN320N60A3: Биполярный транзистор с изолированным затвором

