IXGT32N170A
IXGT32N170A
Артикул:
IXGT32N170A
Описание:
IXGT32N170A
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXGT32N170A: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXGT32N170A: Биполярный транзистор с изолированным затвором