Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXXH30N60B3D1

IXXH30N60B3D1

IXXH30N60B3D1
IXXH30N60B3D1
Артикул: IXXH30N60B3D1
Описание: IXXH30N60B3D1
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.66 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 60 A
Power Dispation 270 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXXH30N60B3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.66 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 60 A
Power Dispation 270 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXXH30N60B3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором