Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
IXXH50N60B3D1

IXXH50N60B3D1

IXXH50N60B3D1
IXXH50N60B3D1
Артикул: IXXH50N60B3D1
Описание: IXXH50N60B3D1
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.55 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 120 A
Power Dispation 600 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXXH50N60B3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.55 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 120 A
Power Dispation 600 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXXH50N60B3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором