IXYH25N250CHV
IXYH25N250CHV
Артикул:
IXYH25N250CHV
Описание:
IXYH25N250CHV
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
2500 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
95 A
Power Dispation
937 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH25N250CHV: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
2500 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
95 A
Power Dispation
937 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH25N250CHV: Биполярный транзистор с изолированным затвором