IXYN50N170CV1
IXYN50N170CV1
Артикул:
Описание:
IXYN50N170CV1
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
120 A
Power Dispation
880 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXYN50N170CV1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
120 A
Power Dispation
880 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXYN50N170CV1: Биполярный транзистор с изолированным затвором