NGD18N40ACLBT4G
NGD18N40ACLBT4G
Артикул:
Описание:
NGD18N40ACLBT4G
Характеристики
Manufacturer
Littelfuse
Collector-Emitter Voltage
430 V
Maximum Gate Emitter Voltage
18 V
Continuous Collector Current at 25 C
15 A
Power Dispation
115 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-NGD18N40ACLBT4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
Littelfuse
Collector-Emitter Voltage
430 V
Maximum Gate Emitter Voltage
18 V
Continuous Collector Current at 25 C
15 A
Power Dispation
115 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-NGD18N40ACLBT4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором