Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
NGTB10N60R2DT4G

NGTB10N60R2DT4G

NGTB10N60R2DT4G
NGTB10N60R2DT4G
Артикул:
Описание: NGTB10N60R2DT4G
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 20 A
Power Dispation 72 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB10N60R2DT4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 20 A
Power Dispation 72 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB10N60R2DT4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором