Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
NGTB30N135IHR1WG

NGTB30N135IHR1WG

NGTB30N135IHR1WG
NGTB30N135IHR1WG
Артикул:
Описание: NGTB30N135IHR1WG
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 1.35 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage 25 V
Continuous Collector Current at 25 C 60 A
Power Dispation 394 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB30N135IHR1WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 1.35 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage 25 V
Continuous Collector Current at 25 C 60 A
Power Dispation 394 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB30N135IHR1WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором