Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
NGTB40N120S3WG

NGTB40N120S3WG

NGTB40N120S3WG
NGTB40N120S3WG
Артикул:
Описание: NGTB40N120S3WG
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 160 A
Power Dispation 454 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB40N120S3WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 160 A
Power Dispation 454 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB40N120S3WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором