Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
NGTG20N60L2TF1G

NGTG20N60L2TF1G

NGTG20N60L2TF1G
NGTG20N60L2TF1G
Артикул:
Описание: NGTG20N60L2TF1G
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 40 A
Power Dispation 64 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-NGTG20N60L2TF1G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 40 A
Power Dispation 64 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-NGTG20N60L2TF1G: Биполярный транзистор с изолированным затвором