Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
NGTG35N65FL2WG

NGTG35N65FL2WG

NGTG35N65FL2WG
NGTG35N65FL2WG
Артикул:
Описание: NGTG35N65FL2WG
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 70 A
Power Dispation 300 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-NGTG35N65FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 70 A
Power Dispation 300 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-NGTG35N65FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором