SGB02N120
SGB02N120
Артикул:
SGB02N120
Описание:
SGB02N120
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-SGB02N120: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-SGB02N120: Биполярный транзистор с изолированным затвором