SGD02N120
SGD02N120
Артикул:
Описание:
SGD02N120
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-SGD02N120: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-SGD02N120: Биполярный транзистор с изолированным затвором

