SGP07N120
SGP07N120
Артикул:
SGP07N120
Описание:
SGP07N120
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-SGP07N120: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-SGP07N120: Биполярный транзистор с изолированным затвором