STGB14NC60KDT4
STGB14NC60KDT4
Артикул:
STGB14NC60KDT4
Описание:
STGB14NC60KDT4
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.1 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGB14NC60KDT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.1 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGB14NC60KDT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором