STGB18N40LZT4
STGB18N40LZT4
Артикул:
STGB18N40LZT4
Описание:
STGB18N40LZT4
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
360 V
Maximum Gate Emitter Voltage
12 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGB18N40LZT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
360 V
Maximum Gate Emitter Voltage
12 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGB18N40LZT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором

