STGB19NC60HDT4
STGB19NC60HDT4
Артикул:
Описание:
STGB19NC60HDT4
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGB19NC60HDT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGB19NC60HDT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором

