История:
STGF6M65DF2
S16B-SMH-1L.M-2M32-PC
STGB19NC60KDT4
STGB19NC60KDT4
Артикул:
STGB19NC60KDT4
Описание:
STGB19NC60KDT4
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGB19NC60KDT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGB19NC60KDT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором

