История:
STGF6M65DF2
S16B-SMH-1L.M-2M32-PC
STGB8NC60KDT4
STGB8NC60KDT4
Артикул:
STGB8NC60KDT4
Описание:
STGB8NC60KDT4
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGB8NC60KDT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGB8NC60KDT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором

