STGD18N40LZT4
STGD18N40LZT4
Артикул:
STGD18N40LZT4
Описание:
STGD18N40LZT4
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
360 V
Maximum Gate Emitter Voltage
12 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGD18N40LZT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
360 V
Maximum Gate Emitter Voltage
12 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGD18N40LZT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором

