STGD19N40LZ
STGD19N40LZ
Артикул:
STGD19N40LZ
Описание:
STGD19N40LZ
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
390 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.35 V
Maximum Gate Emitter Voltage
16 V
Power Dispation
125 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGD19N40LZ: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
390 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.35 V
Maximum Gate Emitter Voltage
16 V
Power Dispation
125 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGD19N40LZ: Биполярный транзистор с изолированным затвором