STGD20N40LZ
STGD20N40LZ
Артикул:
STGD20N40LZ
Описание:
STGD20N40LZ
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
425 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
16 V
Power Dispation
125 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGD20N40LZ: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
425 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
16 V
Power Dispation
125 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGD20N40LZ: Биполярный транзистор с изолированным затвором