STGD8NC60KDT4
STGD8NC60KDT4
Артикул:
Описание:
STGD8NC60KDT4
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGD8NC60KDT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGD8NC60KDT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором

