История:
2EDGKF-5.0-02P
STGF10NC60KD
STGF10NC60KD
Артикул:
STGF10NC60KD
Описание:
STGF10NC60KD
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
25 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGF10NC60KD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
25 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGF10NC60KD: Биполярный транзистор с изолированным затвором

