STGF19NC60HD
STGF19NC60HD
Артикул:
STGF19NC60HD
Описание:
STGF19NC60HD
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V/1.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
35 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGF19NC60HD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V/1.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
35 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGF19NC60HD: Биполярный транзистор с изолированным затвором