STGP10NB60SD
STGP10NB60SD
Артикул:
Описание:
STGP10NB60SD
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
3.5 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGP10NB60SD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
3.5 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGP10NB60SD: Биполярный транзистор с изолированным затвором