STGP10NC60KD
STGP10NC60KD
Артикул:
STGP10NC60KD
Описание:
STGP10NC60KD
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
25 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGP10NC60KD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
25 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGP10NC60KD: Биполярный транзистор с изолированным затвором