STGP19NC60KD
STGP19NC60KD
Артикул:
Описание:
STGP19NC60KD
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
125 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGP19NC60KD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
125 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGP19NC60KD: Биполярный транзистор с изолированным затвором

