STGW30NC120HD
STGW30NC120HD
Артикул:
STGW30NC120HD
Описание:
STGW30NC120HD
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.75 V
Maximum Gate Emitter Voltage
25 V
Power Dispation
220 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGW30NC120HD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.75 V
Maximum Gate Emitter Voltage
25 V
Power Dispation
220 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGW30NC120HD: Биполярный транзистор с изолированным затвором