STGW35NB60SD
STGW35NB60SD
Артикул:
STGW35NB60SD
Описание:
STGW35NB60SD
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGW35NB60SD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGW35NB60SD: Биполярный транзистор с изолированным затвором

