STGW39NC60VD
STGW39NC60VD
Артикул:
STGW39NC60VD
Описание:
STGW39NC60VD
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V/1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
250 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGW39NC60VD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
В наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V/1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
250 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGW39NC60VD: Биполярный транзистор с изолированным затвором