Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Дискретный модуль APL502J Microchip / Microsemi

Дискретный модуль APL502J Microchip / Microsemi
Дискретный модуль APL502J Microchip / Microsemi
Артикул: APL502J
Производитель: Microchip / Microsemi
Описание: Дискретный модуль APL502J Microchip / Microsemi
Datasheet:
Характеристики
Brand Microchip / Microsemi
Configuration Single
Fall Time 14 ns
Id - Continuous Drain Current 52 A
Manufacturer Microchip
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style Screw Mount
Package/Case SOT-227-4
Pd - Power Dissipation 568 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 90 mOhms
Rise Time 24 ns
RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 58 ns
Typical Turn-On Delay Time 13 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Описание
Дискретный модуль APL502J Microchip / Microsemi В каталоге Components.by представлен электронный компонент APL502J Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APL502J , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Brand Microchip / Microsemi
Configuration Single
Fall Time 14 ns
Id - Continuous Drain Current 52 A
Manufacturer Microchip
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style Screw Mount
Package/Case SOT-227-4
Pd - Power Dissipation 568 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 90 mOhms
Rise Time 24 ns
RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 58 ns
Typical Turn-On Delay Time 13 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Описание
Дискретный модуль APL502J Microchip / Microsemi В каталоге Components.by представлен электронный компонент APL502J Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APL502J , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet