Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Дискретный модуль APT10045LFLLG Microchip / Microsemi

Дискретный модуль APT10045LFLLG Microchip / Microsemi
Дискретный модуль APT10045LFLLG Microchip / Microsemi
Артикул: APT10045LFLLG
Производитель: Microchip / Microsemi
Описание: Дискретный модуль APT10045LFLLG Microchip / Microsemi
Datasheet:
Характеристики
Brand Microchip / Microsemi
Configuration Single
Fall Time 8 ns
Id - Continuous Drain Current 23 A
Manufacturer Microchip
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style Through Hole
Package/Case TO-264-3
Pd - Power Dissipation 565 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 460 mOhms
Rise Time 5 ns
RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel
Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 30 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1000 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Описание
Дискретный модуль APT10045LFLLG Microchip / Microsemi В каталоге Components.by представлен электронный компонент APT10045LFLLG Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APT10045LFLLG , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Brand Microchip / Microsemi
Configuration Single
Fall Time 8 ns
Id - Continuous Drain Current 23 A
Manufacturer Microchip
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style Through Hole
Package/Case TO-264-3
Pd - Power Dissipation 565 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 460 mOhms
Rise Time 5 ns
RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel
Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 30 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1000 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Описание
Дискретный модуль APT10045LFLLG Microchip / Microsemi В каталоге Components.by представлен электронный компонент APT10045LFLLG Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APT10045LFLLG , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet