Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Дискретные полупроводниковые приборы
Дискретные модули и модули питания
Диодные модули
Дискретный модуль APT10M11JVRU3 Microchip / Microsemi
Дискретный модуль APT10M11JVRU3 Microchip / Microsemi
Дискретный модуль APT10M11JVRU3 Microchip / Microsemi
Артикул:
APT10M11JVRU3
Производитель:
Microchip / Microsemi
Описание:
Дискретный модуль APT10M11JVRU3 Microchip / Microsemi
Характеристики
Brand
Microchip / Microsemi
Configuration
Single
Fall Time
9 ns
Id - Continuous Drain Current
142 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
SOT-227-4
Pd - Power Dissipation
450 W
Product
Power MOSFET Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
11 mOhms
Rise Time
48 ns
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
51 ns
Typical Turn-On Delay Time
16 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V
Описание
Дискретный модуль APT10M11JVRU3 Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент APT10M11JVRU3 Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APT10M11JVRU3 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Brand
Microchip / Microsemi
Configuration
Single
Fall Time
9 ns
Id - Continuous Drain Current
142 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
SOT-227-4
Pd - Power Dissipation
450 W
Product
Power MOSFET Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
11 mOhms
Rise Time
48 ns
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
51 ns
Typical Turn-On Delay Time
16 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V
Описание
Дискретный модуль APT10M11JVRU3 Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент APT10M11JVRU3 Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APT10M11JVRU3 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet