Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Дискретный модуль APT30M19JVR Microchip / Microsemi

Дискретный модуль APT30M19JVR Microchip / Microsemi
Дискретный модуль APT30M19JVR Microchip / Microsemi
Артикул: APT30M19JVR
Производитель: Microchip / Microsemi
Описание: Дискретный модуль APT30M19JVR Microchip / Microsemi
Datasheet:
Характеристики
Brand Microchip / Microsemi
Configuration Single
Fall Time 10 ns
Id - Continuous Drain Current 130 A
Manufacturer Microchip
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style Chassis Mount
Package/Case SOT-227-4
Pd - Power Dissipation 700 W
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 19 mOhms
Rise Time 33 ns
RoHS Details
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 70 ns
Typical Turn-On Delay Time 22 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 300 V
Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Описание
Дискретный модуль APT30M19JVR Microchip / Microsemi В каталоге Components.by представлен электронный компонент APT30M19JVR Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APT30M19JVR , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Brand Microchip / Microsemi
Configuration Single
Fall Time 10 ns
Id - Continuous Drain Current 130 A
Manufacturer Microchip
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style Chassis Mount
Package/Case SOT-227-4
Pd - Power Dissipation 700 W
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 19 mOhms
Rise Time 33 ns
RoHS Details
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 70 ns
Typical Turn-On Delay Time 22 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 300 V
Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Описание
Дискретный модуль APT30M19JVR Microchip / Microsemi В каталоге Components.by представлен электронный компонент APT30M19JVR Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APT30M19JVR , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet