Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Дискретные полупроводниковые приборы
Дискретные модули и модули питания
Диодные модули
Дискретный модуль APT38F50J Microchip / Microsemi
Дискретный модуль APT38F50J Microchip / Microsemi
Дискретный модуль APT38F50J Microchip / Microsemi
Артикул:
APT38F50J
Производитель:
Microchip / Microsemi
Описание:
Дискретный модуль APT38F50J Microchip / Microsemi
Характеристики
Brand
Microchip / Microsemi
Configuration
Single
Id - Continuous Drain Current
38 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Chassis Mount
Package/Case
SOT-227-4
Pd - Power Dissipation
355 W
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
100 mOhms
RoHS
Details
Technology
Si
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Описание
Дискретный модуль APT38F50J Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент APT38F50J Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APT38F50J , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Brand
Microchip / Microsemi
Configuration
Single
Id - Continuous Drain Current
38 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Chassis Mount
Package/Case
SOT-227-4
Pd - Power Dissipation
355 W
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
100 mOhms
RoHS
Details
Technology
Si
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Описание
Дискретный модуль APT38F50J Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент APT38F50J Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APT38F50J , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet