Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Дискретный модуль APT40M35JVR Microchip / Microsemi

Дискретный модуль APT40M35JVR Microchip / Microsemi

Дискретный модуль APT40M35JVR Microchip / Microsemi
Дискретный модуль APT40M35JVR Microchip / Microsemi
Артикул: APT40M35JVR
Производитель: Microchip / Microsemi
Описание: Дискретный модуль APT40M35JVR Microchip / Microsemi
Характеристики
Brand Microchip / Microsemi
Configuration Single
Fall Time 14 ns
Id - Continuous Drain Current 93 A
Manufacturer Microchip
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style Screw Mount
Package/Case SOT-227-4
Pd - Power Dissipation 700 W
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 35 mOhms
Rise Time 30 ns
RoHS Details
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 75 ns
Typical Turn-On Delay Time 20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 400 V
Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Описание
Дискретный модуль APT40M35JVR Microchip / Microsemi В каталоге Components.by представлен электронный компонент APT40M35JVR Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APT40M35JVR , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
В наличии
Характеристики
Brand Microchip / Microsemi
Configuration Single
Fall Time 14 ns
Id - Continuous Drain Current 93 A
Manufacturer Microchip
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style Screw Mount
Package/Case SOT-227-4
Pd - Power Dissipation 700 W
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 35 mOhms
Rise Time 30 ns
RoHS Details
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 75 ns
Typical Turn-On Delay Time 20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 400 V
Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Описание
Дискретный модуль APT40M35JVR Microchip / Microsemi В каталоге Components.by представлен электронный компонент APT40M35JVR Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APT40M35JVR , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.