Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Дискретный модуль APT47F60J Microchip / Microsemi

Дискретный модуль APT47F60J Microchip / Microsemi
Дискретный модуль APT47F60J Microchip / Microsemi
Артикул: APT47F60J
Производитель: Microchip / Microsemi
Описание: Дискретный модуль APT47F60J Microchip / Microsemi
Datasheet:
Характеристики
Brand Microchip / Microsemi
Configuration Single
Fall Time 70 ns
Id - Continuous Drain Current 49 A
Manufacturer Microchip
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style Chassis Mount
Package/Case SOT-227-4
Pd - Power Dissipation 540 W
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 75 mOhms
Rise Time 85 ns
RoHS Details
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 225 ns
Typical Turn-On Delay Time 75 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V
Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V
Описание
Дискретный модуль APT47F60J Microchip / Microsemi В каталоге Components.by представлен электронный компонент APT47F60J Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APT47F60J , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Brand Microchip / Microsemi
Configuration Single
Fall Time 70 ns
Id - Continuous Drain Current 49 A
Manufacturer Microchip
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style Chassis Mount
Package/Case SOT-227-4
Pd - Power Dissipation 540 W
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 75 mOhms
Rise Time 85 ns
RoHS Details
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 225 ns
Typical Turn-On Delay Time 75 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V
Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V
Описание
Дискретный модуль APT47F60J Microchip / Microsemi В каталоге Components.by представлен электронный компонент APT47F60J Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APT47F60J , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet