Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Дискретный модуль APT50M38JLL Microchip / Microsemi

Дискретный модуль APT50M38JLL Microchip / Microsemi
Дискретный модуль APT50M38JLL Microchip / Microsemi
Артикул: APT50M38JLL
Производитель: Microchip / Microsemi
Описание: Дискретный модуль APT50M38JLL Microchip / Microsemi
Datasheet:
Характеристики
Brand Microchip / Microsemi
Configuration Single
Fall Time 4 ns
Id - Continuous Drain Current 88 A
Manufacturer Microchip
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style Screw Mount
Package/Case SOT-227-4
Pd - Power Dissipation 694 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 38 mOhms
Rise Time 22 ns
RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 50 ns
Typical Turn-On Delay Time 17 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Описание
Дискретный модуль APT50M38JLL Microchip / Microsemi В каталоге Components.by представлен электронный компонент APT50M38JLL Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APT50M38JLL , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Brand Microchip / Microsemi
Configuration Single
Fall Time 4 ns
Id - Continuous Drain Current 88 A
Manufacturer Microchip
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style Screw Mount
Package/Case SOT-227-4
Pd - Power Dissipation 694 W
Product Power MOSFET Modules
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 38 mOhms
Rise Time 22 ns
RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 50 ns
Typical Turn-On Delay Time 17 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Описание
Дискретный модуль APT50M38JLL Microchip / Microsemi В каталоге Components.by представлен электронный компонент APT50M38JLL Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APT50M38JLL , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet