Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Дискретные полупроводниковые приборы
Дискретные модули и модули питания
Диодные модули
Дискретный модуль APTCV60TLM99T3G Microchip Technology
Дискретный модуль APTCV60TLM99T3G Microchip Technology
Дискретный модуль APTCV60TLM99T3G Microchip Technology
Артикул:
APTCV60TLM99T3G
Производитель:
Microchip Technology
Описание:
Дискретный модуль APTCV60TLM99T3G Microchip Technology
Характеристики
Brand
Microchip Technology
Fall Time
5 ns, 40 ns
Id - Continuous Drain Current
22 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
SP3F
Pd - Power Dissipation
110 W
Product
Power MOSFET Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
99 mOhms
Rise Time
5 ns, 45 ns
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Type
3-Phase Inverter
Typical Turn-Off Delay Time
60 ns, 200 ns
Typical Turn-On Delay Time
10 ns, 110 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Vf - Forward Voltage
2.2 V at 60 A
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.5 V
Vr - Reverse Voltage
600 V
Описание
Дискретный модуль APTCV60TLM99T3G Microchip Technology
В каталоге Components.by представлен электронный компонент APTCV60TLM99T3G Microchip Technology . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APTCV60TLM99T3G , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Brand
Microchip Technology
Fall Time
5 ns, 40 ns
Id - Continuous Drain Current
22 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
SP3F
Pd - Power Dissipation
110 W
Product
Power MOSFET Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
99 mOhms
Rise Time
5 ns, 45 ns
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Type
3-Phase Inverter
Typical Turn-Off Delay Time
60 ns, 200 ns
Typical Turn-On Delay Time
10 ns, 110 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Vf - Forward Voltage
2.2 V at 60 A
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.5 V
Vr - Reverse Voltage
600 V
Описание
Дискретный модуль APTCV60TLM99T3G Microchip Technology
В каталоге Components.by представлен электронный компонент APTCV60TLM99T3G Microchip Technology . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APTCV60TLM99T3G , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet